Интерференционная литография: получено рекордное разрешение
Новый вариант литографии ускорит появление микросхем нового поколения
Исследователи из Массачусетского технологического университета (MIT) добились большого прогресса в технологии литографии, применяемой в производстве микросхем и других электронных устройств. Им удалось взять на поверхности кремниевой подложки линейные структуры шириной 25 нм, поделённые промежутком в 25 нм.
На данный момент для массового производства самых современных микросхем применяют разработку, снабжающую минимальное расстояние между проводниками в 65 нм. Компания Intel сравнительно не так давно сказала о грядущем в 2009 г. вводе в эксплуатацию завода, где будет употребляться 33-нанометровый технологический процесс. Помимо этого, Intel представила прогноз о переходе на 25-нанометровый процесс к 2013–2015 гг.
Методика, созданная в MIT, может ускорить появление новых чипов, потому, что не применяет способы иммерсионной литографии и дорогостоящее оборудование, требуемое с целью проведения оптической литографии в этом диапазоне размеров. Для периодических структур в наномасштабе исследователи из MIT применили способ интерференционной литографии, что изучается уже несколько год во многих лабораториях мира (в Российской Федерации, например, в этом направлении трудятся группы из Университета прикладной физики РАН и Университета физики микроструктур РАН).
Успех нового варианта интерференционной литографии обеспечила «нанолинейка», созданная двумя студентами MIT. Студенты применяли генератор звуковых волн с частотой 100 МГц для управления лазерным излучением, формирующим литографический рисунок на поверхности кремниевой подложки, наряду с этим совокупность разрешала отклонять лазерный луч и поменять частоту излучения при помощи нового метода точного определения фазы.
Созданная совокупность, названную интерференционной литографии с лучевым сканированием (scanning-beam interference lithography, SBIL), способна создавать рисунок на громадной поверхности. Марк Шаттенбург (Mark Schattenburg), один из авторов работы, объявил, что сейчас формирование изображения с заданной точностью не есть лимитирующим этапом процесса, и точность определяется уже особенностями самого материала подложки (неровностью боковых стенок). Но уже на данный момент просматриваются варианты преодоления этих недочётов.
Работа ученых из Бостона принята к публикации в издании Optics Letters. Сообщение о разработке было сделано сравнительно не так давно на интернациональной конференции по электронным, ионным и фотонным лучевым разработкам в г. Портленд (США), информирует пресс-релиз MIT.