Реактор для роста материалов на основе нитридов галлия и индия
Реактор нового поколения AIX G5 HT от компании AIXTRON устанавливает безотносительный рекорд производительности при росте материалов на базе нитридов индия и галлия.
Компания AIXTRON (Аахен, Германия) воображает пятое поколение MOCVD высокотемпературных реакторов AIX G5 HT. Совокупность на платформе MOCVD нового поколения продемонстрировала высочайшее уровень качества выращивания слоев GaN при больших скоростях роста и при большом давлении (более чем 600 мбар), и отличную однородность слоев GaN/InGaN. Ростовые циклы, каковые осуществлялись в корпорации Epistar (технопарк Синчу, Тайвань), были совершены последовательно, без замены и отжига каких-либо частей реактора.
Новый MOCVD реактор на данный момент поступает в массовое производство.
Реактор MOCVD на платформе нового поколения AIX G5 HT вмещает полностью рекордное количество подложек (56?2” либо 14?4” либо 8?6”) и имеет революционные изюминки дизайна реактора, разрешающие трудиться на громадных скоростях роста и осуществлять последовательные ростовые циклы без замены и отжига реактора каких-либо подробностей. Все это снабжает высочайшее уровень качества продукции при более чем удвоенной производительности если сравнивать с прошлыми поколениями реакторов.
Реактор новой конструкции владеет высокой гибкостью ростового процесса при отличной стабильности. Совокупности AIX G5 HT снабжают мельчайшее время производства при высокой воспроизводимости от реактора к реактору, что активизирует расширение производства если сравнивать с любыми вторыми реакторами методом несложного копирования рецепта при переносе процесса. Это есть главным причиной в условиях скоро расширяющегося спроса при ограниченном количестве экспертов-технологов.
Нитриды 3-й группы Периодической совокупности благодаря своим особенностям являются лидирующим материалом для изготовления сверхярких светло синий, зеленых, ультрафиолетовых и белых светодиодов, и светло синий/фиолетовых лазерных диодов. Благодаря собственной физической и радиационной стойкости, инертности и химической стабильности они идеально подходят для применений в космическом пространстве при больших температурах, больших давлениях, высоких мощностях. На их базе созданы солнечно-слепые фотодетекторы, биологические и химические сенсоры, разные типы транзисторов с высоким напряжением пробоя и др.
На данный момент MOCVD разработка есть главной промышленной разработкой получения эпитаксиальных гетероструктур для вышеуказанных применений и приборов.
Булаев Петр Валентинович