Закон мура: постоянная проверка на прочность
Очередная заметка о проходящем в Сан-Франциско классическом осеннем Форуме Разработчиков Intel, IDF 2009. Отечественный особый обозреватель продолжает смотреть за занимательными событиями этого мероприятия.
Один из основателей компании Intel, Гордон Мур (Gordon Moore), в далёком 1965 году смог практически «на пальцах» обрисовать будущее электроники. Он заявил, что количество транзисторов в микросхемах будет удваиваться каждые два года. Значит, вычислительная мощность полупроводников растет, а цена их производства уменьшается.
Сейчас закон Мура пара ускорился до удвоения количества транзисторов за 18 месяцев. Предсказания человека, что в 1990 году был награжден Национальной медалью за успехи в области разработок, имеют не только чисто техническое обоснование. В силу вступает экономика.
Из-за чего как раз два года, а не три либо четыре? Любой следующий технологический ход, что держит закон Мура «в седле» уже что год, требует огромных инвестиций. Инвестиций требуют: изучения, оборудование, сооружения, обучение персонала и без того потом.
Инвестированные должны принести прибыль, часть которой отправится на следующий технологический ход, а часть на изучения, каковые дадут итог лишь через пара переходов к более большому уровню интеграции элементов. Таковой «оборот средств» занимает от полутора до двух лет. Причем ожесточенная борьба требует от компаний все больше заниматься изучениями и «заглядывание в будущее» тут как запрещено кстати.
Какие конкретно технологии на данный момент употребляются при производстве процессоров, отечественному читателю точно известно. Скажем пара слов о том, что разрешит закону Мура не сдавать собственные завоеванные позиции за 44 года.
Закон Мура требует постоянных инноваций: «напряженный» кремний, использование материалов с низкой (Low-k) и высокой (High-k) диэлектрической постоянной, тому хорошие примеры. на данный момент компания Intel усердно трудится над так называемыми «полупроводниками III-V» (III-Vs), каковые смогут стать материалом для того чтобы нового поколения. Такое наименование отображает тот факт, что они складываются из элементов с валентностями III и V. Появление III-Vs разрешит существенно повысить производительность транзисторов при одновременном понижении мощности.
Кроме этого процессорный гигант деятельно исследует методы интеграции для чипов с высокой плотностью. Прогрессивная разработка «3D chip-stacking» разрешит возможность размещать высокопроизводительные чипы приятель над втором.