Найден легкий способ выращивать нитрид бора
Исследователи из америки преуспели в вопросе выращивания слоев нитрида бора, имеющих гексагональную кристаллическую решетку, при помощи реакции химического осаждения паров. Ученые уверены в том, что посредством предложенной ими методики смогут изготавливаться равномерные слои нитрида бора любой толщины с маленьким числом недостатков. С таковой производственной техникой в скором времени нитрид бора может стать отличной базой для производства электронных и оптоэлектронных компонент.
Узкие слои нитрида бора смогут применяеться в самых различных областях, например, в эластичной электронике. Это быть может, за счет того, что пленки нитрида бора имеют хорошие механические, термические и электронные особенности.
Еще одна возможно ключевая роль, «приготовленная» для нитрида бора самой природой – роль диэлектрической механической базы для графена в пара атомов толщиной.
Дело в том, что из всех материалов нитрид бора ближе всего по структуре кристаллической решетки к графену, соответственно, контакт с этим материалом не столь значительно изменяет характеристики двумерного страницы атомов углерода.
До сих пор нитрид бора не столь масштабно употребляется в промышленности и науке только вследствие того что не существовало дешёвых способов для выращивания этого материала в коммерческих масштабах. Помимо этого, не до конца были понятны свойства этого материала.
Но группа исследователей из University of Texas (США) сделала еще один ход в направлении более широкого применения нитрида бора. Ученые продемонстрировали, что
с применением новой методики производства возможно осуществлять контроль количество слоев нитрида бора с атомарной точностью несложной вариацией внешних условий в реакторе, где происходит химическое осаждение.
Необходимо подчеркнуть, что в собственном опыте ученые выращивали узкие пленки нитрида бора посредством химического осаждения паров при низком давлении с применением диборана и газового аммиака, двух обширно применяемых в индустрии прекурсоров. Изменение черт конечного продукта осуществлялось вариацией таких параметров, как температура, время действия реагентов, и парциального давления газов.
По словам ученых, доказанная ими возможность контроля толщины нитрида бора с точностью до одного атомарного слоя свидетельствует, что уже в скором времени данный материал может отыскать широкое использование на практике. Помимо этого, они уверены в том, что напечатанная работа окажет помощь лучше осознать поверхностные химические явления, происходящие в ходе роста пленок нитрида бора при низком давлении.
В скором времени команда собирается продолжить изучения пленок нитрида бора в разных условиях, на разных подложках и при применении различных прекурсоров. Конечной целью этих изучений будут попытки интегрировать упомянутые пленки в разные электронные устройства. Помимо этого, планируется более глубоко изучить сам материал: его структуру, оптические и электронные особенности.
Подробные результаты работы ученых размещены в издании ACS Nano.