Samsung ускоряет разработку 6-нанометрового техпроцесса
По сообщению источника, опирающегося на сообщения южнокорейских СМИ, компания Samsung Electronics производит перерасмотрение график освоения разработок полупроводникового производства с целью приблизить начало выпуска продукции по нормам 6 нм. Как утверждается, сейчас Samsung рассчитывает начать серийный выпуск 6-нанометровых микросхем во втором полугодии 2019 года. Ранее на 2019 год был запланирован лишь пробный выпуск.
Обстоятельством, побуждающей Samsung ускориться, названо отставание от компании TSMC, которая разрабатывает 7-нанометровый техпроцесс. Предложив 6-нанометровую альтернативу, Samsung сможет побороться с TSMC за заказы Qualcomm и Apple. Месяц назад появились сведенья, что Qualcomm будет заказывать 7-нанометровые SoC не у Samsung, а у TSMC.
К выпуску серийной продукции по нормам 7 нм в TSMC рассчитывают приступить в начале 2018 года.
Напомним, что на данном этапе TSMC применяет иммерсионную литографию, но ведет разработки улучшенной версии 7-нанометрового техпроцесса с применением литографии в твёрдом ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Эта версия должна быть готова к серийному производству в 2019 году.
Компания Samsung также делает ставку на EUV. До Января этого года южнокорейский производитель рассчитывает установить две автомобили ASML, предназначенные для EUV-литографии, а в будущем году — еще семь. Это оборудование разрешает освоить нормы 7, 6 и 5 нм.
Напомним, что, наверное, речь заходит о сканерах ASML 3400B, поставки которых начались весной. Это первый EUV-сканер ASML, подходящий для серийного производства, потому, что его проектная производительность образовывает 125 пластин в час. Первые экземпляры снабжали обработку 104 пластин в час, потому, что в них установлен источник излучения мощностью 148 Вт.
Для производительности 125 пластин в час нужна мощность 250 Вт — источник таковой мощности ASML продемонстрировала несколько дней назад.
Источник: Digitimes