В ibm показали самый быстрый в мире транзистор на графене

В Исследовательском Центре компании IBM создан самый стремительный в мире графеновый полевой транзистор, трудящийся с тактовой частотой 26 Ггц. Совсем сравнительно не так давно инженеры – исследователи компании предсказали, что благодаря более высокой подвижности электронов в углероде, со временем будет вероятно создать графеновые полупроводниковые устройства с более высокими скоростными особенностями, чем у кремниевых и достигнуть терагерцового диапазона.

Графен – это особенная форма углерода, которая образуется в виде страниц толщиной всего лишь в один атом. Двумерный аллотроп углерода был в первый раз взят в лаборатории совсем сравнительно не так давно, всего лишь четыре года назад. Эксперты по электронике сходу заметили в нем совершенный материал для производства интегральных схем.

Скоро были созданы и первые экспериментальные транзисторы, в которых вместо кремния либо германия использовался графен.

В ibm показали самый быстрый в мире транзистор на графене Послойное «отшелушивание» графена

Корпорация IBM разрабатывает графеновые транзисторы в собственном исследовательском центре имени Уотсона (IBM’s Thomas J. Watson Research Center (Yorktown Heights, N.Y.). Только что оттуда пришло сообщение о создании транзистора на графене с тактовой частотой в 26 гигагерц, что на сегодня есть мировым рекордом.

Эксперты IBM решили проблему создания достаточно широкой запрещенной территории для устранения токов утечки в полевом транзисторе из графена. Графеновые транзисторы IBM с верхним размещением затвора были изготовлены с применением подложек «кремний-изолятор», после этого характеризованы для высокочастотной работы с разным напряжением на затворе при его разной длине. Результаты опробования графеновых транзисторов говорят о том, что усиление по току при повышении частоты направляться классической для полевых транзисторов спадающей характеристической зависимости.

Самая высокая скорость среди всех испытанных транзисторов – 26 гигагерц была зарегистрирована при длине затвора 150 нм. Потому, что пиковая частота растет с уменьшением размера затвора, разработчики считают, что терагерцовые графеновые транзисторы смогут быть созданы методом предстоящего уменьшения длины затвора приблизительно до 50 нм.

Имеется все основания вычислять, что возможности графеновой электроники простираются до частот порядка тысячи гигагерц, в противном случае говоря, одного терагерца. Но создание таких совокупностей вероятнее потребует еще нескольких лет интенсивной работы.

Данный проект финансирует Управление перспективных оборонных исследовательских проектов (Defense Advanced Research Projects Agency – Darpa), которое заинтересовано в получении транзисторов с частотой порядка 100 гигагерц.

Евгений Биргер

Графеновый полевой транзистор

Статьи, которые будут Вам интересны: