Ibm, globalfoundries и samsung создали первый в отрасли транзистор для 5-нанометровых микросхем
Компаниям IBM, Globalfoundries и Samsung, входящим в объединение Research Alliance, посредством поставщиков оборудования удалось создать первый в отрасли техпроцесс для того чтобы с нанослоями кремния. Эти транзисторы разрешат производить 5-нанометровые микросхемы. Напомним, что с момента, в то время, когда IBM удалось создать первую 7-нанометровую микросхему с функционирующими транзисторами, прошло менее двух лет.
Изюминкой новых транзисторов, как уже было сообщено, являются наноструктуры. В отличие от простого транзистора FinFET, 5-нанометровый транзистор, созданный участниками Research Alliance, имеет затвор из нескольких кремниевых «нанолистов».
Если сравнивать с самая передовой существующей разработкой — 10-нанометровой — новая разработка может обеспечить повышение производительности на 40% при таком же энергопотреблении либо понижение энергопотребления на 75% при той же производительности.
Исследователи отмечают, что им не просто удалось фактически показать работоспособность выбранного подхода. Они утвержают, что появление 5-нанометровых микросхем — вопрос не столь отдаленного будущего.
Представитель Globalfoundries подтвердил, что за коммерциализацией в 2018 году 7-нанометрового техпроцесса компания рассчитывает приступить к освоению нормы 5 нм и менее. Как и 7-нанометровая, новая разработка выстроена на применении литографии в твёрдом ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
Подробности о разработке будут представлены на раскрывающейся сейчас в Токио конференции, посвященной вопросам изготовления и проектирования БИС.
Источник: IBM Research