Получены графеновые пленки большой площади
Создание слоев графена громадной площади с применением меди может оказаться крайне важным для производства графен-содержащих изделий в полупроводниковой индустрии. Результатом этого смогут стать другая электроника и компьютеры повышенного быстродействия.
Исследователи из Университета Техаса в Остине (University of Texas at Austin), США создали разработку выращивания пленок графена равномерной толщины площадью около одного квадратного сантиметра на подложке из бронзовой фольги.
Изображение бронзовой фольги, покрытой графеном, полученное посредством сканирующего электронного микроскопа; масштаб — 40 мкм (иллюстрация: University of Texas at Austin)
Как мы знаем, практическая сокровище графена определяется выдающимися показателями подвижности носителей заряда, каковые, по идее, должны повысить скорость переключения наноэлектронных устройств. Помимо этого, данный материал технологичен, а необыкновенные механические особенности разрешают использовать его при изготовлении детекторов молекул и датчиков давления и клеток. Как отметил начальник изучения проф.
Родни Руофф (Rodney S. Ruoff), применение графена должно разрешить возможность конструировать более стремительные компьютеры с меньшим энергопотреблением и другие электронные устройства, трудящиеся на очень высоких частотах. Кроме этого, на базе графена возможно создавать оптически прозрачные проводящие пленки, каковые будут использоваться в производстве солнечных батарей и дисплеев.
Результаты работы только что размещены в издании Science (Large-Area Synthesis of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils).
Разглядываемая разработка, по утверждению авторов, разрешает приобретать отличные графеновые пленки на бронзовой подложке способом химического осаждения из газовой фазы с применением смеси метана и водорода. В опытах были организованы пленки площадью около 1 см2, причем бoльшая часть поверхности фольги была покрыта моноатомным слоем углерода, и только на отдельных участках, занимавших около пяти процентов всей площади, появились «недостатки» — двух- либо трехатомные наслоения.
Оценку особенностей взятых пленок ученые прозвели на намерено созданных для этого двухзатворных полевых транзисторах с МОП- структурой на подложках из двуокиси и кремния кремния, верхний затвор которых был изолирован от графена узким слоем алюминия. Измеренная при комнатной температуре подвижность носителей заряда (электронов) составила 4 300 см2/(В•с), что существенно превышает показатели кремния.
Евгений Биргер