Создан новый тип транзисторов на основе нитрида галлия
Американскому учёному китайского происхождения Хуану Вэйсяо (Weixiao Huang) в первый раз удалось создать рабочий транзистор, выстроенный на базе нитрида галлия (GaN). Согласно точки зрения специалистов, промышленное применение этого материала открывает громадные возможности для микроэлектроники — чипы на его базе будут потреблять меньше энергии и повысится неспециализированная эффективность электронных схем.
Кремний, что десятки лет властвует в полупроводниковой индустрии, не в полной мере удовлетворяет современным требованиям по целому последовательности показателей. Как раз исходя из этого инженеры ведут поиск возможностей создания транзисторов на другой базе. А также с применением GaN.
Хуан Вэйсяо
Новый материал владеет высокой термической, химической а также радиационной стойкостью. Он кроме этого снабжает хорошую теплопроводность, которая снимает многие неприятности охлаждения рабочей области микросхемы. А что особенно принципиально важно, у нитрида галлия более высокая электропроводность, чем у кремния.
Всё это теоретически разрешает создать на его базе высокочастотные и высокотемпературные транзисторы, да ещё и трудящиеся в очень негативных условиях.
Сейчас интерес к GaN существенно вырос в связи с удачами в получении качественных диодов и слоёв на его базе. Так, в январе этого года несколько исследователей из университета Ноттингема (University of Nottingham) во главе с Сергеем Новиковым разместила в издании Semiconductor Science and Technology отчёт о получении толстых (до 60 микрометров) слоёв кубического галлия.
Однако работоспособный транзистор на базе GaN до сих пор сделать не получалось. Разработка Хуана – первый полупроводниковый прибор в мире, выстроенный по данной технологии.
Результаты совершённых измерений продемонстрировали, что характеристики устройства существенно превосходят подобные параметры энергопотребления, удельной мощности и размерности (power density) у полевых кремниевых транзисторов, на которых по большей части и выстроена вся современная цифровая техника.
«Сейчас электронику возможно использовать в тех областях, где это раньше было нереально», — радуется американо-китайский изобретатель. Он кроме этого грезит о том, что замена кремниевых микросхем на галлий-нитридные разрешит сократить потребление ископаемых ресурсов и вредные выбросы в воздух Почвы.
Кстати, мы кроме этого говорили о создании самого мелкого в мире транзистора с применением нанотехнологий и о новом чипе на базе карбида кремния, действующий при экстремально больших температурах.