Первые успехи в создании коммерческой usb-памяти на основе нанотрубок
Исследователям из Финляндии удалось создать новый тип памяти на базе углеродных нанотрубок. Как сохраняют надежду нанотехнологи, в будущем смогут показаться настоящие USB-устройства хранения памяти с нанотрубками.
Цикл чтения/записи образовывает всего 100 наносекунд, что в 100000 раза больше, чем у прошлого прототипа нанотрубочной памяти. Более того, значение количества циклов чтения/записи превышает 10000, что также отлично для устройства, применяющего нанотрубки.
Как говорит физик из Технологического Университета Хельсинки (Helsinki University of Technology) Пайви Торма (Paivi Torma), этот прототип близко подошел к требованиям для коммерческих устройств хранения информации, таких как USB-flash память, к примеру. Не секрет, что нанотехнологии смогут обеспечить в будущем достаточно емкие устройства хранения данных, но пока прогресс в области коммерческих устройств проходит достаточно медлительно.
Рис. 1. Схема одного нанотранзистора
База логики – углеродная нанотрубка в роли полевого нанотранзистора. Транзисторы расположены на кремниевой подложке. Потом на нее был нанесен узкий слой оксида гафния толщиной 20 нанометров, отделяющий нанотрубку от подложки.
С различных сторон нанотрубки были организованы исток и сток, а кремниевая подложка выполнила роль затвора.
Нанотрубки размешались на поверхности оксида гафния посредством достаточно сложного способа. Вначале ученые нанесли на поверхность капли раствора с коммерческими нанотрубками диаметром от 1.2 до 1.5 нанометров и длиной от 100 до 360 нм. После этого, посредством атомно-силовой микроскопии удалось идентифицировать нанотрубки с «верным» продольным размещением относительно субстрата и слоя оксида гафния. Лишь этим нанотрубкам суждено было стать транзисторами.
Электроды истока и стока для каждой нанотрубки был организован посредством палладия.
В итоге ученые разместили на поверхности прибора еще одни слой оксида гафния.
Как говорит Торма, подобные результаты вероятны с применением графеновых материалов.
Но пока любой нанотранзистор может сохранять данные (т.е. не поменять собственный проводящее состояние) не более 150000 секунд либо 42 часов. Это, конечно, очень небольшой срок хранения данных, и исследователи собираются улучшить данный показатель, добавив еще один слой изолятора между нанотрубкой и подложкой.
О собственных достижениях ученые сообщили в выпуске издания NanoLetters от 16 января.
Свидиненко Юрий